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　　一如之前预告的那样，三星在今天正式宣布了3nm工艺量产，这意味着三星在新一代工艺『yi』上抢先了台积「ji」电量产，并《bing》且首次量产GAA晶体管工艺，技术上也是全面压制了台积电，后者要到2nm节点才会《hui》用上GAA工艺。

　　根据三星所说，在3nm芯片上，其放弃了之{zhi}前的FinFET架构《gou》，采用了新“xin”的GAA晶体管架构，大幅改善了“liao”芯片的功耗表现。

　　与5nm相比，第一代3nm工艺能够降低45%的〖de〗功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能，第二代【dai】的3nm工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时《shi》面积减少35%，效 xiao[果更好。

　　对于三星抢先量产3nm GAA工艺，韩国媒体及专家自己表态积极，但台湾的分析师态度就不一【yi】样了，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为三星就是赶鸭子上架 jia[。

　　之所以这么评价，杨瑞临认为GAA晶体管生态目{mu}前完全没有成熟，相关的蚀刻及测『ce』量 liang[问题还没有解决，材料、化学品也要{yao}提升。

　　此外，他不（bu）看好三星3nm GAA工艺的原因还跟成本有关，认为三星现在这样做会增加成本，交付期延长，良率提升慢，品控也不见得好，进而导致三星难以『yi』对客户报价，目前3nm GAA工艺只有三星自己在用，不会有外‘wai’部的客户使用。